Curvo Studio

Modelo actual·Uniones de semiconductores

Diodo de unión P-N

Vea cómo la región de agotamiento habilita la corriente directa, bloquea la corriente inversa y cambia durante la avería.
Apagado · Listo0,0 s / 15 s
Apagar
↖ Arrastrar para rotar
Región tipo PRegión tipo NRegión de agotamientobanda catódica
Región operativaApagar
voltaje de unión0 V
Corriente de diodo0 mA
Temperatura de unión25 °C

Experimento de sesgo de unión

Características del diodo I – V

Inspeccione la curva exponencial directa y la región de ruptura inversa de forma independiente.

Punto de operación en vivoAplicar energía para generar las curvas.
característica directaAumento exponencial de la corriente bajo sesgo directo
00 µA0,352,5 mA0,5105 mA0,8157,5 mA1210 mAAplicar energía para generar las curvas.
Característica inversaAvería por fugas y avalanchas bajo polarización inversa
-115-210 mA-86,2-157,5 mA-57,5-105 mA-28,8-52,5 mA00 µAAplicar energía para generar las curvas.