Aktuelles Modell·Leistungshalbleiter

N-Kanal-MOSFET

Sehen Sie, wie die Gate-Spannung einen leitenden Kanal erzeugt und den Drain-Strom zwischen Source und Drain steuert.
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Statisches Charakteristikexperiment

MOSFET-Kennlinien

Ändern Sie VGS und VDS, um den Arbeitspunkt zu verschieben und das Kanalverhalten zu beobachten.

Live-BetriebspunktWenden Sie Strom an, um die Kurven zu erzeugen
Ausgabeeigenschaften · ID–VDSKurven bei unterschiedlichen Gate-Spannungen
0055101015152020VDS (V)ID (A)Wenden Sie Strom an, um die Kurven zu erzeugen
Übertragungsmerkmal · ID–VGSDrainstrom über Schwellenspannung
00531051582010VGS (V)ID (A)Wenden Sie Strom an, um die Kurven zu erzeugen

Was ist ein selbstsperrender N-Kanal-MOSFET?

Funktionsprinzip

Ein MOSFET ist ein spannungsgesteuerter Schalter auf einem Halbleiterchip mit drei Anschlüssen: Gate, Drain und Source. Beim selbstsperrenden N-Kanal-Typ liegt das Gate über einer dünnen Oxidschicht auf einem p-leitenden Bulk. Eine positive Gate-Source-Spannung zieht Elektronen an die Oberfläche und invertiert den Bereich, sobald die Schwellenspannung überschritten ist, zu einem leitenden N-Kanal zwischen Drain und Source. Ohne Gatespannung sperrt das Bauteil — genau das bedeutet selbstsperrend beziehungsweise Anreicherungstyp.

Arbeitsbereiche

Unterhalb der Schwellenspannung ist der MOSFET gesperrt und führt nur Leckstrom. Knapp darüber verhält er sich bei kleiner Drain-Source-Spannung wie ein Widerstand, dessen Wert das Gate bestimmt — der ohmsche oder lineare Bereich, gekennzeichnet durch den Einschaltwiderstand RDS(on). Steigt die Drain-Source-Spannung über den Abschnürpunkt, wird der Kanal abgeschnürt: Der Drainstrom wird nahezu unabhängig von dieser Spannung und allein vom Gate bestimmt — der Bereich, in dem verstärkt wird.

Gate-Ansteuerung und Schaltverluste

Das Gate ist ein isolierter Kondensator, weshalb ein MOSFET stationär praktisch keinen Steuerstrom braucht — das Umladen dieser Gatekapazität verlangt aber echten Strom und bestimmt, wie schnell geschaltet werden kann. Die Verluste bestehen aus zwei Teilen: Durchlassverluste, gleich Drainstrom im Quadrat mal RDS(on), und Schaltverluste während der Übergänge. Ein hart getriebenes Gate und ein vollständig aufgesteuerter Kanal halten beide klein — darum wird ein Schalt-MOSFET stets weit oberhalb seiner Schwelle angesteuert.

Einsatzgebiete

Leistungs-MOSFETs schalten den Strom in nahezu jedem modernen Stromrichter: Abwärts- und Aufwärtsregler, Motorwechselrichter, Klasse-D-Verstärker, Batterieschutzschaltungen und Halbleiterrelais. Kleinsignal-MOSFETs bilden die Logikgatter in jedem CMOS-Schaltkreis. Hohe Eingangsimpedanz, schnelles Schalten und niedriger Einschaltwiderstand bei mittleren Spannungen haben sie unterhalb von etwa 200 Volt zum Standardleistungsschalter gemacht.