Modello attuale·Giunzioni di semiconduttori

Diodo di giunzione P-N

Scopri come la regione di esaurimento attiva la corrente diretta, blocca la corrente inversa e cambia durante il guasto.
Spento · Pronto0,0 S / 15 S
Spegnimento
Trascina per ruotare
Regione operativaSpegnimento
Tensione di giunzione0 V
Corrente nei diodi0 mA
Temperatura di giunzione25 °C

Esperimento di bias di giunzione

Caratteristiche dei diodi IV-V

Ispezionare la curva forward esponenziale e la regione di breakdown inverso in modo indipendente.

Punto operativo in tempo realeApplicare potenza per generare le curve
Caratteristica in avantiAumento esponenziale della corrente con polarizzazione diretta
00 µA0,352,5 mA0,5105 mA0,8157,5 mA1210 mAApplicare potenza per generare le curve
Caratteristica inversaDispersione e rottura di valanghe con polarizzazione inversa
-115-210 mA-86,2-157,5 mA-57,5-105 mA-28,8-52,5 mA00 µAApplicare potenza per generare le curve